我國5G技術(shù)處于世界領(lǐng)先地位,氮化鎵(GaN)是生產(chǎn)5G芯片的關(guān)鍵材料之一。氮化鎵可通過以下反應制得:2Ga+2NH3 高溫 2GaN+3H2,該反應為( ?。?/h1>
高溫
【考點】反應類型的判定.
【答案】C
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:21引用:2難度:0.9
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