電子束光刻技術(shù)以其分辨率高、性能穩(wěn)定、功能強(qiáng)大而著稱(chēng)，其原理簡(jiǎn)化如圖所示，電子槍發(fā)射的電子經(jīng)過(guò)成型孔后形成電子束，通過(guò)束偏移器后對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光。某型號(hào)光刻機(jī)的束偏移器長(zhǎng)L=0.04m,間距也為L(zhǎng)，極間有掃描電壓，其軸線(xiàn)垂直晶圓上某芯片表面并過(guò)中心O點(diǎn)，芯片到束偏移器下端的距離為L2。若進(jìn)入束偏移器時(shí)電子束形成的電流大小為I=2×10-8A，單個(gè)電子的初動(dòng)能為Ek0=100keV，不計(jì)電子重力，忽略其他因素的影響。
（1）若掃描電壓為零，O點(diǎn)每秒接收的能量是多少？
（2）若某時(shí)刻掃描電壓為10kV，電子束到達(dá)芯片時(shí)的位置離O點(diǎn)的距離是多少？
L
2
【答案】（1）若掃描電壓為零，O點(diǎn)每秒接收的能量是2×10-3J；
（2）若某時(shí)刻掃描電壓為10kV，電子束到達(dá)芯片時(shí)的位置離O點(diǎn)的距離是0.002m。
（2）若某時(shí)刻掃描電壓為10kV，電子束到達(dá)芯片時(shí)的位置離O點(diǎn)的距離是0.002m。
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：90引用：1難度：0.6
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1．如圖所示，ABC為光滑的固定在豎直面內(nèi)的半圓形軌道，軌道半徑為R=0.4m,A、B為半圓軌道水平直徑的兩個(gè)端點(diǎn)，O為圓心．在水平線(xiàn)MN以下和豎直線(xiàn)OQ以左的空間內(nèi)存在豎直向下的勻強(qiáng)電場(chǎng)，電場(chǎng)強(qiáng)度E=1.0×106N/C．現(xiàn)有一個(gè)質(zhì)量m=2.0×10-2kg,電荷量q=2.0×10-7C的帶正電小球（可看作質(zhì)點(diǎn)），從A點(diǎn)正上方由靜止釋放，經(jīng)時(shí)間t=0.3s到達(dá)A點(diǎn)并沿切線(xiàn)進(jìn)入半圓軌道，g=10m/s2，不計(jì)空氣阻力及一切能量損失，求：
（1）小球經(jīng)過(guò)C點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道的壓力大??；
（2）小球經(jīng)過(guò)B點(diǎn)后能上升的最大高度．發(fā)布：2024/12/29 20:0:1組卷：751引用：4難度：0.5 -
2．11H、12H、13H三個(gè)原子核，電荷均為e,質(zhì)量之比為1：2：3，如圖所示，它們以相同的初速度由P點(diǎn)平行極板射入勻強(qiáng)電場(chǎng)，在下極板的落點(diǎn)為A、B、C，已知上極板帶正電，原子核不計(jì)重力，下列說(shuō)法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/29 21:30:1組卷：374引用：5難度：0.6 -
3．如圖，在豎直平面內(nèi)，一半徑為R的半圓形軌道與水平軌道在B點(diǎn)平滑連接．半圓形軌道的最低點(diǎn)為B、最點(diǎn)高為C，圓心為O．整個(gè)裝置處水平向左的勻強(qiáng)電場(chǎng)中．現(xiàn)讓一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶正電小球（可視為質(zhì)點(diǎn)），從水平軌道的A點(diǎn)靜止釋放，到達(dá)B點(diǎn)時(shí)速度為．當(dāng)小球過(guò)C點(diǎn)時(shí)撤去電場(chǎng)，小球落到水平軌道上的D點(diǎn)．已知A、B間的距離為5gRR，重力加速度為g,軌道絕緣且不計(jì)摩擦和空氣阻力，求：103
（1）該勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E的大?。?br />（2）A、D間的距離；
（3）小球經(jīng)過(guò)半圓形軌道某點(diǎn)P（圖中未畫(huà)出）時(shí)，所受合外力方向指向圓心O，求小球過(guò)P點(diǎn)時(shí)對(duì)軌道壓力的大?。?/h2>發(fā)布：2024/12/29 20:30:1組卷：59引用：2難度：0.7
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