多晶硅是廣泛用于制造半導(dǎo)體收音機(jī)、錄音機(jī)、電冰箱、彩電、錄像機(jī)、電子計(jì)算機(jī)等的基礎(chǔ)材料。如圖是由石英砂制備多晶硅的簡(jiǎn)易過(guò)程。
回答下列問(wèn)題：
（1）反應(yīng)①中氧化劑與還原劑的物質(zhì)的量之比為1：21：2。反應(yīng)②中生成SiHCl3的化學(xué)方程式為Si+3HCl 300℃ SiHCl3+H2Si+3HCl 300℃ SiHCl3+H2。分離混合物采用的方法為蒸餾，其原理是利用了物質(zhì)的沸點(diǎn)沸點(diǎn)不同。
（2）反應(yīng)③氫化過(guò)程中所需的高純度H2可通過(guò)電解精制的飽和食鹽水制得，電解過(guò)程中同時(shí)生成一種黃綠色的氣體和一種易溶、易電離的堿，電解反應(yīng)的離子方程式是2Cl-+2H2O 通電 Cl2↑+H2↑+2OH-2Cl-+2H2O 通電 Cl2↑+H2↑+2OH-。粗鹽水精制過(guò)程中，為有效除去Ca2+、Mg2+、SO42-等雜質(zhì)，要按acb或cab或cbaacb或cab或cba順序（填標(biāo)號(hào)）加入下列溶液：a.NaOHb.Na2CO3c.BaCl2，過(guò)濾后再向?yàn)V液中加適量鹽酸適量鹽酸調(diào)節(jié)pH。
（3）反應(yīng)④中H2還原SiHCl3過(guò)程中若混入O2，除可能引起爆炸外，還可能引起Si與O2反應(yīng)導(dǎo)致產(chǎn)物不純Si與O2反應(yīng)導(dǎo)致產(chǎn)物不純。由粗硅制備多晶硅的過(guò)程中，循環(huán)使用的物質(zhì)除SiCl4、SiHCl3和Si外，還有HCl、H2HCl、H2。（填分子式）
300
℃
300
℃
通電
通電
【答案】1：2；Si+3HCl SiHCl3+H2；沸點(diǎn)；2Cl-+2H2O Cl2↑+H2↑+2OH-；acb或cab或cba；適量鹽酸；Si與O2反應(yīng)導(dǎo)致產(chǎn)物不純；HCl、H2
300
℃
通電
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：22引用：2難度：0.5
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1．化學(xué)與生產(chǎn)、生活密切相關(guān)，下列說(shuō)法正確的是（ ）
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2．材料與化學(xué)密切相關(guān)，表中對(duì)應(yīng)關(guān)系錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
材料 主要化學(xué)成分 A 剛玉、金剛石 三氧化二鋁 B 大理石、石灰石 碳酸鈣 C 普通水泥、普通玻璃 硅酸鹽 D 沙子、石英 二氧化硅 發(fā)布：2025/1/16 8:0:1組卷：75引用：7難度：0.9 -
3．材料與化學(xué)密切相關(guān)，表中對(duì)應(yīng)關(guān)系錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
材料 主要化學(xué)成分 A 普通水泥、普通玻璃 硅酸鹽 B 剛玉、金剛石 三氧化二鋁 C 大理石、石灰石 碳酸鈣 D 光導(dǎo)纖維、石英 二氧化硅 發(fā)布：2025/1/16 8:0:1組卷：69引用：3難度：0.9
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