如圖,MN、PQ為足夠長平行光滑水平金屬導軌,處于豎直向下的勻強磁場中,GH、JK為足夠長傾斜粗糙平行金屬導軌,處于垂直導軌平面向下的勻強磁場中,底端接C=1000μF的電容器。NQ端與GJ端高度差h=0.45m,水平距離x=1.2m?,F(xiàn)將導體棒cd靜置在水平分導軌固定小釘?shù)挠覀?cè),導體棒ab以速度v0=9m/s從MP端滑入,一段時間后cd棒從NQ端拋出,恰能無碰撞從GJ端進入斜導軌.已知導軌間距均為1m,兩磁場的磁感應強度均為2T,兩棒質(zhì)量均為1×10-3kg、接入電阻均為1Ω,導軌電阻不計,棒始終與導軌垂直且接觸良好,棒與斜導軌的動摩擦因數(shù)μ=0.75,g取10m/s2.求:

(1)cd棒從NQ端拋出時的速度大小v1;
(2)cd棒拋出前瞬間ab棒所受安培力的功率P;
(3)最終電容器存儲的電荷量Q。
【答案】(1)cd棒從NQ端拋出時的速度大小v1為4m/s。
(2)cd棒拋出前瞬間ab棒所受安培力的功率P為10W。
(3)最終電容器存儲的電荷量Q為2×10-3C。
(2)cd棒拋出前瞬間ab棒所受安培力的功率P為10W。
(3)最終電容器存儲的電荷量Q為2×10-3C。
【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:111引用:1難度:0.4
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1.半徑為R的金屬圓環(huán)水平固定,電阻忽略不計。圓環(huán)內(nèi)存在與環(huán)面垂直的勻強磁場,磁感應強度為B。導體棒長為L(L>2R),其單位長度電阻值為r。圖(a)中導體棒與圓環(huán)相切于O1點,t=0時刻起,從圖示位置以速度v勻速向右運動,棒始終與速度方向垂直。圖(b)中導體棒與圓環(huán)相切于O2點,t=0時刻起,以O(shè)2點為軸從圖示位置起在水平面內(nèi)順時針勻速轉(zhuǎn)過180°,角速度為ω;導體棒掃過整個環(huán)面時與環(huán)接觸良好。
(1)分析說明圖(a)中導體棒掃過整個環(huán)面過程中流過導體棒的電流變化情況;
(2)求圖(b)中導體棒兩端產(chǎn)生的感應電動勢E與時間t的關(guān)系式;
(3)若圖(a)、圖(b)中導體棒掃過整個環(huán)面所用時間相同,試比較兩種情況中導體棒運動到虛線(圓環(huán)上直徑位置)處,流過兩導體棒的感應電流大小。發(fā)布:2024/12/30 1:0:6組卷:99引用:2難度:0.7 -
2.如圖甲所示,在水平面上有一豎直向下的足夠?qū)挼木匦蝿驈姶艌鰠^(qū)域,磁感應強度B0=0.2T,區(qū)域長度L=3m,在緊靠磁場的左邊界處的水平面上放置一正方形線框,匝數(shù)n=10,邊長a=1m,線框電阻R=1Ω,質(zhì)量m=1kg?,F(xiàn)在線框上作用一水平恒力F,使線框從靜止開始向右進入磁場中,已知恒力F的大小為10N,線框與水平面間的動摩擦因數(shù)μ=0.2,整個線框完全進入磁場前已經(jīng)勻速運動,g=10m/s2。當線框剛?cè)窟M入磁場開始計時,磁場即以如圖乙所示規(guī)律變化。下列說法正確的是( )
A.線圈完全進入磁場瞬間的速度為2m/s B.線圈從開始運動到線圈右邊到達磁場右邊界的過程中,流過線圈的電量為2C C.線圈在完全進入磁場到線圈右邊到達磁場右邊界的過程中,因為線圈左右兩邊切割速度相同,所以線圈中沒有感應電流 D.線框從開始進入磁場到線框右邊剛到達磁場右邊界過程中線框產(chǎn)生的焦耳熱為8J 發(fā)布:2024/12/29 23:30:1組卷:150引用:3難度:0.5 -
3.如圖,空間某區(qū)域內(nèi)存在沿水平方向的勻強磁場,一正方形閉合金屬線框自磁場上方某處釋放后穿過磁場,整個過程線框平面始終豎直,線框邊長小于磁場區(qū)域上下寬度。以線框剛進入磁場時為計時起點,下列描述線框所受安培力F隨時間t變化關(guān)系的圖中,不正確的是( ?。?/h2>
A. B. C. D. 發(fā)布:2024/12/29 20:30:1組卷:234引用:3難度:0.7
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