2021-2022學(xué)年浙江省溫州市新力量聯(lián)盟高二（下）期末物理試卷
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0
一、選擇題Ⅰ（本題共13小題，每小題3分，共39分.每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的，不選、多選、錯(cuò)選均不得分）
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1．下列物理量是矢量，且單位用國(guó)際單位制表示正確的是（ ?。?/h2>
組卷：13引用：1難度：0.8 -
2．關(guān)于分子動(dòng)理論，下列說法正確的是（ ?。?/h2>
組卷：161引用：3難度：0.8 -
3．如圖所示，甲、乙兩同學(xué)在水平地面進(jìn)行拔河比賽．比賽中，手與繩之間不打滑．下列表述中屬于一對(duì)作用力與反作用力的是（ ）組卷：174引用：5難度：0.9 -
4．下列四幅圖涉及不同的物理知識(shí)，其中說法不正確的是（ ?。?br />
組卷：14引用：1難度：0.9 -
5．如圖所示，一汽車在水平路面上勻速直線行駛，行車記錄儀用吸盤式支架固定在傾斜的擋風(fēng)玻璃上，行車記錄儀和支架的重量分別為G1和G2。下列說法正確的是（ ?。?/h2>組卷：37引用：1難度：0.7 -
6．如圖所示為華為5G手機(jī)無線充電的場(chǎng)景。5G信號(hào)使用的電磁波頻率更高，每秒傳送的數(shù)據(jù)更多，是4G手機(jī)的50-100倍。則（ ?。?br />
組卷：50引用：1難度：0.7 -
7．如圖所示，三根相互平行的水平長(zhǎng)直導(dǎo)線通有大小相等且方向相同的電流I，其中P、Q、R為導(dǎo)線上三個(gè)點(diǎn)，三點(diǎn)連成的平面與導(dǎo)線垂直，O為PQ連線的中點(diǎn)，且QR=PR。則下列判斷正確的是（ ?。?/h2>組卷：73引用：1難度：0.8
三、非選擇題（本題共7小題，共55分）
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22．如圖所示，兩根光滑金屬平行導(dǎo)軌放在水平面上，左端向上彎曲且光滑，右端水平部分足夠長(zhǎng)，導(dǎo)軌間距為L(zhǎng)=0.4m,電阻不計(jì)。水平段導(dǎo)軌所處空間有豎直向下的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=1.0T。質(zhì)量為mb=0.1kg,電阻為Rb=0.2Ω的金屬棒b垂直導(dǎo)軌放置其上，它與磁場(chǎng)左邊界AA'的距離為x0=0.5m,現(xiàn)將質(zhì)量為ma=0.2kg,電阻為Ra=0.1Ω的金屬棒a從彎曲導(dǎo)軌上高為h=0.45m處由靜止釋放，使其沿導(dǎo)軌運(yùn)動(dòng)，兩金屬棒運(yùn)動(dòng)過程中不會(huì)相撞，最終兩棒做勻速運(yùn)動(dòng)。設(shè)兩金屬棒運(yùn)動(dòng)過程中始終與導(dǎo)軌垂直且接觸良好。重力加速度g取10m/s2，求：
（1）金屬棒a剛越過磁場(chǎng)左邊界AA'時(shí)，流過金屬棒a的電流方向及它兩端的電壓大??；
（2）金屬棒勻速運(yùn)動(dòng)前，a棒上產(chǎn)生的焦耳熱；
（3）兩金屬棒勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)，a、b兩棒的間距x1是多大。組卷：159引用：3難度：0.5 -
23．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，選擇出速度為v的離子，然后通過磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外，速度選擇器中的勻強(qiáng)電場(chǎng)方向豎直向上。磁分析器截面是矩形，矩形長(zhǎng)為
，寬為2L。其寬和長(zhǎng)中心位置C和D處各有一個(gè)小孔，半徑為23L的半圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，O為半圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的圓心，D、O、N在一條豎直線上，F(xiàn)G為半圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的下邊界，F(xiàn)G與硅片平行，O到硅片N的距離3L，不計(jì)離子重力及離子間的相互作用，求：ON=3L
（1）速度選擇器中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)E的大?。?br />（2）求磁分析器選擇出來的離子的比荷；qm
（3）若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍，求硅片上離子注入的寬度。33B≤B偏≤233B
組卷：42引用：1難度：0.5